El horno de sinterización sin presión Silicon Carbide es un nuevo tipo de horno eléctrico industrial recién desarrollado por nuestra empresa. Tiene una alta precisión de control de temperatura de ≤0.1 ℃, buena uniformidad de temperatura de ± 2 ℃, y la temperatura puede alcanzar 2300 ℃. Pequeña huella y rotación flexible. Especialmente adecuado para una pequeña producción de lotes o uso de laboratorio.
Parámetro del producto del horno sinterización sin presión
1. Modelo: YHGYL-THL45/45-50
2. Método de calentamiento: calentamiento de resistencia a grafito isostático
3. Control de potencia: bajo voltaje de CC, modo de alta corriente
4. La potencia de diseño es de 60kW, y la potencia de producción real no es más de 50kW.
5. Fuente de alimentación: sistema trifásico de cinco hilos, 380V trifásico, frecuencia 50Hz
6. Temperatura de diseño: 2100 ℃, la temperatura común a largo plazo es 2000 ℃;
7. Método de enfriamiento: enfriamiento natural
8. Espacio de descarga efectivo: 450 mm de ancho, 450 mm de alto, 500 mm de profundidad
9. Tasa de calefacción: al cargar, la velocidad de calentamiento promedio por debajo de 1000 ℃ es de 5 ℃/min, la tasa de calentamiento promedio entre 1000-1800 ℃ es de 5 ℃/min, y la tasa de calentamiento promedio entre 1800-2250 ℃ es 3 ℃/// mínimo
10. Precisión de control de temperatura: temperatura ambiente RT -2000 ℃ ≤ ± 2 ℃
11. Configuración de la fuente de alimentación: integrado con el cuerpo del horno
12. Tipo de cuerpo del horno: descarga horizontal de la puerta delantera
13. Contenido de gas de trabajo en el horno: vacío o AR, N2, NH₃ y otros gases (presión ligera positiva), reemplazo de vacío;
14. Uniformidad de temperatura: ≤ ± 3 ℃ (evaluado después de 30 minutos de temperatura constante);
15. Medición de temperatura: Medición de temperatura de tungsteno-renio de manga de tungsteno de una sola zona
16. Control de temperatura: Japón Shimaden FP23, PID Controlador de temperatura inteligente Control del programa (precisión del control de temperatura: ± 0.1 ℃) y control manual;
17. Método de protección: PLC+pantalla táctil+alarma de sonido y luz
18. Configuración del sistema de vacío: bomba de válvula deslizante 2H-70
19. Medición del vacío: Resistencia + Capacitancia Película de la película de la película, rango de medición 0-105PA
20. Tasa de aumento de la presión: vacío a 5pa, detenga la bomba durante 30 minutos y comience a tiempo, aumento de presión por hora ≤ 10p
21. Grado de vacío en frío: ≤5pa (en estado de horno limpio, frío y vacío)
22. Tiempo de aspiración de horno vacío ≤20 minutos (horno vacío, temperatura ambiente, consulte GB/T10066.1-2004 para las pruebas).
23. Presión máxima en el horno 0.02MPA
24. Presión de viaje de la válvula a prueba de explosión: 0.07MPA
25. Sistema de enfriamiento: todas las tuberías de agua circulantes están bien selladas y no hay fuga durante el uso;
26. Control eléctrico: pantalla táctil de 15 pulgadas SIEMENS PLC + Delta. Los parámetros clave, como el vacío, la temperatura y la potencia, se pueden consultar en tiempo real e históricamente, y se pueden exportar a través de una unidad flash USB y configurar una grabadora sin papel.
27. Se utilizan materiales importados para componentes clave, como instrumentos de control de temperatura y termómetros.
28. Método de apertura: Manual
29. Método de entrada y salida del material: equipado con camiones especiales de entrada y salida
30. Color de pintura: cuerpo principal blanco, blanco, azul cielo, base negra
En vista del retraso de aumento de temperatura grave en la sección de baja temperatura del horno, la tecnología de ajuste de control de autocontrol de AI de AI en varias etapas se utiliza para hacer la precisión del control de temperatura en la sección de baja temperatura y alta temperatura sección consistente, alcanzando ≤ ± 2 ° C.
Características del producto del horno de sinterización de carburo de silicio
1. La temperatura máxima de trabajo es 2300 ℃, y la temperatura común es 2250 ℃.
2. Atmósfera de trabajo: atmósfera de aire, sinterización de vacío o reducción de la atmósfera sinterización (presión ligera positiva)
3. Medición de la temperatura: termopar y el componente de medición de temperatura óptica de infrarrojo lejano forma
4. Control de temperatura: control del programa y control manual; Precisión de control de temperatura: ± 0.1 ℃
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